美劍指合肥長鑫、睿力 大陸發展DRAM恐延宕

美國司法部控告晉華、聯電竊取商業機密後,

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,下一波可能將合肥長鑫及睿力列入限制美半導體重要零組件出口清單;大陸發展DRAM的時間恐因此延後。 (美聯社) 分享 facebook 美國司法部控告福建晉華和聯電及三位工程師,

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,竊取美國半導體業者美光公司的商業機密,

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,因全案升高至美國司法單位介入,

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,造成相關供應鏈極大震撼。據悉美國半導體設備大廠美商應材、科林研發等重要設備商,

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,已全數撤出原在晉華協助裝機的工程師,

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,並中止任何聯繫;原透過聯電採購相關材料行動也全數中止,

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,讓晉華連試產都無法試產。 據了解,

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,美光也對合肥產業投資控股集團投資的合肥長鑫、睿力集成電路等向美光挖角的十多位高階工程師展開控訴,預料美國司法部下一波也可能將合肥長鑫及睿力列入限制美半導體重要零組件出口清單,升高美中貿易戰談判籌碼。半導體人士透露,大陸國家集成電路產業投資基金(簡稱大基金)已在美國司法部宣布控告晉華和聯電案後,暫停入股福建晉華的投資案,一般預料晉華將成為中國大陸向美方表態尊重智財權犧牲品。且美方態度強硬,也讓美系半導體大廠美商應材、科林研發等半導體設備大廠,全數撤離協助晉華裝機的設備工程師,並中止和晉華相關往來人員的所有電子郵件;原透過聯電採購相關製程所需材料行動全數中止,協助晉華開發DRAM技術的聯電也宣布停止一切合作計畫,大陸這宗原本聲勢浩大的DRAM投資計畫,恐胎死腹中。聯電發言體系證實,為晉華開發的DRAM技術建立的近四百人團隊,全數中止所有開發計畫。聯電表示,原計畫分二期,第一期發展3X奈米製程技術,第一期已進入尾聲,但因晉華裝機中止,已無法進行;至於第二期開發2X奈米製程,也得看事件發展,如果事件無轉圜,目前的團隊何去何從再做安排。半導體業者預告,合肥長鑫和睿力集成國際將是下個美方制裁對象,因為美光也向這二家公司展開控訴行動。不過,近期中國大陸感受到美方壓力,打算藉由對美光等展開反壟斷調查,做為對美方貿易談判的籌碼,不過以美光態度,阻止兩大廠投入發展DRAM的意圖相當明顯,在美方強大壓力下,大陸發展DRAM恐得朝自主研發之路前進,如此一來,時間恐怕會比預期延後至少五年。,

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