經濟部工業局表示，
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，為搶占未來全球記憶體市場，
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，國內記憶體設計大廠來揚科技，
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，整合本身電路設計能力後，
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，成功開發出台灣首顆商業化的磁性記憶體（MRAM）產品，
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，大幅提升台灣在次世代記憶體產業市場的關鍵技術與競爭力。工業局表示，
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，傳統記憶體的製程技術已達物理極限，
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，國際大廠無不全力布局，一場次世代記憶體大戰已隱然成型。透過主力產業分團的專家協助與合作，將STT-MRAM元件整合至CMOS製程，以0.18um技術節點為初步目標，最終將進行0.11um技術節點產品目標。工業局指出，來揚科技的磁性記憶體技術，能夠更快速跨入工業控制記憶體領域並落實產品規格，提升來揚科技於工控記憶體的市占率。未來將進一步應用至標準型靜態隨機存取記憶體（SRAM），與動態隨機存取記憶體市場（DRAM）。為進一步布局巨資儲存應用靜態隨機存取記憶體的發展，來揚科技整合本身電路設計能力，開發出台灣首顆商業化的磁性記憶體（MRAM）產品。工業局指出，來揚科技為全球前四大靜態隨機存取記憶體設計公司，產品主要應用於手持型產品、網路通訊、電腦周邊產品等消費性產品上，近年也跨入工業自動化、機器人、交通運輸及醫療等工業應用產品的市場開發。，