半導體設備大廠美商應材公司今日宣布推出最先進的3D晶片架構的離子植入技術,
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,將可提升半導體20奈米以下的FinFET(鰭式場效電晶體)良率提升,
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,預料將有助台積電20奈米及16奈米良率提升,
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,加速對營收貢獻。
應材表示,
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,這項命名VIISta 900 3D系統是業界最先進的中電流離子植入機台,
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,除應用製造次20奈米以下的FinFET製程外,
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,也可應用生產3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)。
應材強調,
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,這套系統在精密材料工程設計方面採用多項創新技術,
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,可提升元件效能、減少變異性,並讓日漸複雜的高效能、高密度3D元件良率大幅增加,尤其對行動裝置產品所的CMOS影像感測器中的發光二極體及邏輯元件結構,是最佳的製程選擇。,